International Sematech公司的ATDF部门和德克萨斯大学奥斯汀分校(UT-Austin)日前宣布，合作成立纳米电子技术预研R&D中心(Advanced Processing and Prototyping Center, AP2C)。 
       美国国防部研究计划局(Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA)为该中心提供了大约500万美元的资助，以加速的纳米电子技术的发展。 
       AP2C将利用德克萨斯大学奥斯汀分校(UT-Austin)、德克萨斯大学达拉斯分校(UT-Dallas)、Sematech和ATDF现有的办公室和实验室，大约200名教授、研究生、工程师和制造技术人员参与研究。 
       AP2C的项目将涉及到纳米线、硅锗碳(silicon germanium carbon)结构、纳米压印(NIL, Nano Imprint Lithography)、用硅邦定高迁移率复合半导体(high-mobility compound semiconductors)组成的衬底。其他技术将包括定向自装配模型(directed self-assembly for patterning)、混合复合材料、自旋电子式内存(spintronics memory)、量子传输和光互连。 
       AP2C还将完善2004年Sematech与德州大学之间的由政府资助的合作项目Advanced Materials Research Center (AMRC)。由ATDF负责对各个项目完成的试验型设备和结构进行快速的生产评估。