继日前正式取得瑞萨（Renesas）授权1Gb技术转移及行销权后，力晶1日宣布正式取得瑞萨4Gb产品技术移转及行销权利，力晶发言人谭仲民表示，为此力晶决定加速日前自旺宏所购买的12M厂投资，将2006年资本支出二度调高，由早的新台币300亿元一路增加至700亿元，此资本支出已直逼晶圆代工龙头台积电。
       看准未来全球NAND型快闪记忆体（Flash）晶片组市场成长潜力，同时为能做到真正成为全方位记忆体供应商，力晶对于投入NAND型Flash市场一直不遗余力，除了自行成立Flash的IC设计公司外，对于瑞萨AG-AND型Flash技术也同时并进，日前除了与瑞萨已签订1Gb的AG-AND型Flash授权外，1日更与瑞萨进一步签订4Gb的AG-AND型Flash授权。
       力晶过去虽已与瑞萨签属1Gb产品技术授权制造及销售，但现阶段几家大厂均已将制造主流规格不断提升，无论是三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）等大厂均已量产至16Gb甚至更高容量，对于力晶而言，也深刻体认到1Gb已非主流规格商品，必须直接跳入到4Gb产品才有机会与其他竞争对手一争高低，而这样的美梦终于正式拍板定案。
       谭仲民表示，力晶为了进一步能够符合对于Flash产能需求，因此决定加码投资12M厂机器设备，将2006年资本支出由600亿元再增加至700亿元，而这也是2006年以来，力晶资本支出首度由原先300亿元上调至600亿元后，如今二度调高。据了解，原本力晶仅规划12M厂月产能至年底前约达1万片，不过，现在由于力晶已导入4Gb的AG-AND技术后，将在快时间内导入量产，预估快下半年起，便能开始挹注营收。
       由于新产品对产能需求迫切，董事长黄崇仁也不只一次表示产能严重不足，因此力晶决定加快12M厂导入量产脚步，预估第三季起12M厂同步开始投片，年底月产能将倍增至2万片以上，且预计未来12M厂将全力专攻AG-AND型Flash。
       谭仲民表示，现阶段看来，由于12M厂产能规划超过原预期目标，资本支出由600亿元调高至700亿元，力晶2006年将规划藉由发行海外可转换公司债（ECB）、海外存?凭证（GDR）以及银行联贷等3种方式筹资，其中将会以银行联贷先办，时间点约落在下半年，不过金额尚未决定。
       谭仲民进一步表示，力晶已将所有标准型DRAM转至12寸厂生产，目前90奈米制程转换状况相当不错，平均良率已超过85％，且目前已有超过70％投片量都采90奈米制程，产出部份也有超过5成采用是90奈米制程，目前力晶在DDRII产能大约占40～50％，加上到第三季底力晶12寸厂超过70％产出全采90奈米制程，将使得每单位晶圆面积可增加40％产出，市场人士认为，到第三季力晶DRAM制造成本将会比年初降低20％，如平均售价不变的话，力晶毛利率至少会再增加2成。