力晶与瑞萨延伸快闪记忆体合作，进军高容量、主流规格的快闪记忆体领域，未来与本业DRAM结合，将使力晶在记忆体领域的地位更加巩固。 
      目前全球大型DRAM厂中，引进DRAM与快闪记忆体两大业务已是趋势，一来两者制程能相互转换，可减少DRAM景气起伏剧烈的产业特性影响；二来在消费性产品搭载快闪记忆体应用日广，庞大商机更让业者跃跃欲试。
      台湾DRAM厂中，除了力晶，包括南科、茂德等都磨刀霍霍，有意投入快闪记忆体领域。但南科规划是在DRAM全球市占率达10%后，快2008年才打算切入；茂德则规划明年初试产，2008年量产。
      力晶加入主流规格快闪记忆体制造，结合既有DRAM优势，加上积极布局太阳能光电领域，集团爆发力蓄势待发。对于力晶董事长黄崇仁许下年营收1,000亿元的目标，又迈进一步。
      业内人士分析，力晶发展快闪记忆体领域，是循着DRAM模式发展，由国外业者提供技术、力晶出产能。由于模式类似，可大幅缩短进入的时间。由于力晶向来以成本控制优势取胜，加入主流规格快闪记忆体市场后，将对同业造成相当压力，使快闪记忆体市场竞争更加激烈。