力晶布局高阶快闪记忆体再传捷报,与瑞萨半导体的快闪记忆体授权关系,将从1GB扩展到4GB,同时代工合约也同步放大。
力晶宣布正式进军主流快闪记忆体市场,继年初获得日商瑞萨半导体1GB的快闪记忆体制造授权, 随着插卡式手机数位相机等扩充记忆体的强烈需求 双方达成技转合作协议,力晶加码资本支出至700亿元抢攻快闪记忆体商机 力晶半导体与日商瑞萨科技(Renesas)六月一日宣布,签订4Gb AG-AND快闪记忆 体技转和产销合作协议。
力晶并决定将今年度资本支出加码到新台币七百亿元,扩大旗下12M厂的装机规模,与盟友瑞萨携手拓展全球商机。
这项新协议是延续力晶与瑞萨双方在今年一月所达成的1Gb AG-AND快闪记忆体合 作,进一步将产品线扩展至更高容量的4Gb机种。
透过这项新合约,力晶半导体将 可全力投入高容量快闪记忆体市场,争取快速成长中的庞大商机;而瑞萨科技则将 获得力晶旗下十二寸晶圆厂的高效率产能支援,强化该公司对既有快闪记忆体产品 客户的服务。
力晶半导体董事长黄崇仁博士指出,鉴于快闪记忆体市场需求快速成长,包括三 星、美光在内的全球主要DRAM大厂均已大举投入,为避免我国记忆体产业在此新兴 领域缺席,力晶决定导入瑞萨的先进技术,结合力晶的高效率量产优势,共同开拓 商机。
同时,因应快闪记忆体的量产布局,力晶决定将今年度资本支出(CAPEX) 由原先的新台币六百亿元增加到七百亿元,以加速该公司十二寸晶圆产能的扩增, 因应高容量快闪记忆体与DRAM市场成长的需求。
力晶于今年一月斥资逾新台币五十亿元,向旺宏电子购入十二寸晶圆厂房并命名为 12M厂。
针对12M厂的装机进度,该公司总经理谢再居博士透露,力晶现正加紧安装 12M厂的自动化生产控制系统,并催促设备供应商缩短机台交货时程,预计自今年 第四季新厂开始量产快闪记忆体,新增的资本支出将可使12M厂的产能在今年底拉 升到每月二万片,搭配力晶既有的12A、12B厂每月八万五千片产能,将可迅速建构 快闪记忆体与DRAM两大产品线的量产经济规模。
力晶获瑞萨4GBNAND授权 力晶:进军主流Flash市场
更新时间: 2006-06-03 13:07:13来源: 粤嵌教育浏览量:430