全球记忆体制造商南韩三星公司电子12日表示，将投资6,183亿韩元（6.46亿美元）兴建新的记忆体生产线，以满足市场需求，并降低生产成本。但三星并未说明新生产线是要生产NAND快闪记忆晶片或动态存取随机存记忆体（DRAM），也未透露预定投产时间。新生产线是三星今年总计9.4兆韩元资本支出的一部份，去年三星的资本支出达10.04兆韩元。
      分析师预测，新生产线可能同时生产NAND快闪记忆体及DRAM，但以前者为重。NAND快闪记忆体是MP3播放机及数位相机的零件。Meritz证券公司分析师李善泰（译音）说：“新生产线将生产两种晶片，快今年就可投产，但全面投产可能要到明年上半年。”他说，生产NAND快闪记忆体将使用63奈米技术，DRAM将使用80奈米技术。
      在年度9.4兆韩元的资本支出预算中，三星季已用掉2.28兆韩元兴建新厂。三星发言人说：“三星计划兴建新的晶片生产线，即第15号生产线，将用于生产12寸晶圆。”跟上一代的8寸晶圆相较，12寸晶圆多可节省三分之一成本。
      位于首尔南方华城的第15号生产线，将加入三星第12号、13号及14号生产线，共同生产12寸晶圆。看准NAND快闪记忆体的高成长潜力，包括海力士半导体公司（Hynix）及东芝等制造商，也都加紧投资NAND快闪记忆体。
      李善泰说：“照此情形看来，三星的新生产线应该会生产较多NAND快闪记忆体，因为目前DRAM市场需求较低。”