Anadigics日前宣布，已被批准获得射频集成电路领域5项以上的(美国)专利，因而在RFIC领域取得了“竞争优势”。
专利6,937,102号描述了一种用于线性功率放大器的低偏置电流/温度补偿新方法。该设计提高了整个电路的功效且包含一个温度补偿电路以调节放大器的偏置，从而在宽温度范围内获得稳定性能。 
       另一项专利6,970,039号宣称通过使用专门设计的偏置电路并结合异质结双极型晶体管(HBT)和场效应晶体管(FET)工艺，极大地提高了功率放大器的效率。 
       专利6,998,920号覆盖了具有限流FET的厚模制造HBT放大级，FET结构据称在严重负载失配和/或过高驱动期间，通过限制基极或集电极电流的办法改善了器件的耐受性能。 
       Anadigics介绍说，专利7,009,454号的创新形成了用可调输出范围来优化放大器的基础。该电路通过采用谐振元件在宽的功率电平范围内提供持续的工作参数，改进了许多功率电平上的功效。 
       专利7,015,519号的授予，保护了在同一裸片上制做GaAs双极和FET结构的技术，该公司已经采用此技术实现InGaP-Plus工艺，从而获得比其它工艺更高的集成度和性能。