美国英特尔日前公布了将于2006年第4季度（10～12月）在业界率先量产的65nm工艺NOR型闪存的开发情况。将在量产之前于2006年6月面向手机厂商开始1Gbit产品的样品供货（参阅本站报道1）。将在目前正在量产90nm工艺产品的以色列“Fab18”工厂生产。容量包括128M、256M、516M及1Gbit四种。
      利用同一架构实现90～45nm三种工艺
       65nm工艺产品相当于该公司已于2005年11月开始量产的90nm工艺NOR型闪存“M18”的第2代产品（参阅本站报道2）。虽然读取速度与90nm工艺产品相同，不过写入速度通过改进缓冲电路等，从90nm工艺产品的475KB/秒提高到了650K～1MB/秒。该公司认为，在位单价更低、性能更出色的65nm开始供应后，便可尽早替代90nm工艺产品。
       内存单元及电路的基本构成与90nm工艺产品相同。“在开发90nm工艺产品时，构筑了能够支持90nm、65nm及45nm三种工艺的架构。这样，便可在减轻手机厂商开发负担的同时，生产方面也可在短时间内转入65nm工艺”（英特尔）。具体来说，通过事先采用适于MLC（多值单元）的读取及写入的电路构成，便可在从90nm工艺转入65nm工艺时轻松实现对MLC的支持。一直到90nm工艺产品，该公司通常均采用从1位/单元的SLC（单值单元）开始量产的做法，而65nm工艺则将从投产阶段便量产2位／单元的MLC。
       接口的电气特性以及执行写入、读取的指令代码等的规格也在90～45nm工艺中实现了通用化。这样，手机厂商在替代配备NOR型闪存的机型时，就无需再对软件以及LSI的管脚配置等进行变更。英特尔不仅在自主NOR型闪存方面，而且在与意法半导体的产品方面也实现了电气特性等规格的通用化（参阅本站报道3）。
       对于继65nm工艺之后的45nm工艺，该公司估计采用与90nm及65nm相同的架构便可实现。量产时间尚未确定，不过据说“如果能够保持此前的微细化的发展速度，便有望在两年后（2008年下半年）从65nm工艺转入45nm工艺”（英特尔）。而且估计45nm工艺还将实现对MLC的量产。