意法半导体(STMicroelectronics)为其即将上市的4Gb NAND闪存芯片采用了复杂的片上误码校正(ECC)技术。 
       随着NAND开始发挥存储代码和数据的双重角色，误码校正的重要性日渐突出。一般来说，MP3音频文件中丢失数据通常无关紧要，但是，电话呼叫中丢失数据就可能就会造成掉线。

 Casagrande:片上BCH算法是透明的。

       在旧金山举行的国际固体电路大会上，ST演示了2位/单元架构的工作，它不同于更为传统的误码校正技术之处就是采用了BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)算法。 
       目前，许多客户把误码校正放在存储控制器上，但是那样就需要关于ECC技术的知识，且很难实现BCH算法。ST公司存储产品部研发总监Giulio Casagrande说：“当你把它嵌入芯片中时，BCH ECC对客户几乎是透明的。而且，ECC模块的面积只有1.3mm2，非常小。” 
       ST公司多级NAND开发经理Rino Micheloni表示：“对单级NAND芯片进行误码校正十分容易。可是对于多级NAND，你可能想象复杂度仅仅加倍，但是，实际上误码校正的复杂度成千上万倍地增加。” 
       对于大多数客户来来说，BCH校正方案很难在系统级实现，Micheloni介绍说，所以片上方法更为可行，特别是对多级单元(MLC)产品。将ECC嵌入控制器之中也会导致读吞吐量急剧下降，但是ST公司的4Gb MLC NAND芯片却能够达到40Mbps的读吞吐量，他强调说。 
       根据市场研究公司iSuppli的数据，ST正在加大NAND闪存业务，2005年该公司这部分的收入为8900万美元，占全球NAND市场的2.5%；预计2006年ST的NAND产量将翻番，到第四季度达到5500万片512Mb产品。目前，三星以50%的占有率主宰市场，其次是东芝公司和快速成长的Hynix半导体公司。 
       Casagrande透露ST和Hynix在三年前就建立了NAND技术和设计联盟，其中包括共享中国无锡的新建300mm晶圆厂的产能。4Gb NAND芯片现在可以提供样片，初的生产安排在新加坡，然后在无锡实现量产。

图2: 片上BCH误码校正(位于4Gb NAND闪存的右下角)仅增加1.3mm2的占位面积。

       “当然，现在2位/单元产品还很少，但是每一家供应商都优先发展该产品的话，我们认为2-3年之后，它将成为主流产品，”Casagrande预测说，“NAND 将经历与NOR一样的转移，现在所有128和512Mb NOR器件都是2位/单元。”
作者: 来大伟