台系DRAM三雄茂德、力晶、南亚科，自2006年起快速将旗下晶圆厂制程技术，由原先的0.11微米～0.10微米制程技术，快速提升至90奈米制程技术，不过对于DRAM这项以市场占有率及制造成本为导向的产业，如不加紧脚步将制程技术导入下世代制程技术，未来恐被竞争对手淘汰出局，为此DRAM三雄已确定2007年将制程技术决战点提升至70奈米制程，为此，DRAM三雄当务之急便是寻找资金来源，以便有充足弹药与对手一较高低。
      　茂德位于台中晶圆三厂技术移转来自韩国DRAM大厂海力士（Hynix），导入制程技术则以90奈米制程技术为主，目前月产出量已达到9,000片12寸晶圆，而投片量到了4月为止，更已达到2万片左右，阶段4万片产能目标预计于2006年第二季便可提前达阵。而茂德的晶圆三厂到2006年第四季，制程技术将开始导入70奈米制程，预期到2007年第四季左右便可让晶圆三厂全数改采70奈米制程，至于2006年6月将开始动土的晶圆四厂，目前也规划满载月产能为4万片，初估会以60奈米制程技术量产。
      　力晶到2006年第二季将可开始大量采用90奈米制程技术，投产DRAM及NAND型快闪记忆体（Flash），董事长黄崇仁指出，原本日本尔必达（Elpida）预计制程技术由原本的90奈米先行升级到80奈米制程技术后，再进一步提高至70奈米制程，不过目前尔必达90奈米制程技术良率相当不错，因此可不需经过80奈米直接跳升至70奈米制程。预计2007年将与尔必达在力晶中科厂合作导入70奈米制程，并将用于生产标准型DRAM等产品。黄崇仁日前便指出，中科12寸厂在2007年夏天完工后，便会采用70奈米制程技术投产，也不排除将采70奈米制程技术投产NAND型Flash产品。
      　南亚科3月中旬在泰山举办12寸晶圆三厂动土典礼，总经理连日昌便表示，该座晶圆厂将在2007年中装机试产，阶段月产目标估计为2.4万片，并采用70奈米制程投产标准型DRAM，不过熟悉南亚科人士表示，目前进度有机会大幅超前，而投产商品预计阶段为1GB的DDRII，甚至不排除有可能切入量产DDRIII。
      　市场分析师表示，DRAM三雄不约而同地于2007年将采用70奈米制程技术投产，主要目的便是希望在DRAM价格变动快速下，只要能够将成本控制得宜，DRAM厂大量产出也将会带来相当丰厚获利。