对于高科技企业而言，技术是核心竞争力，快速提高自身的技术能力、扩大技术积累，是每个高科技企业的发展目标之一，foundry也不例外。所有的企业都在寻求一切可行的方法达成此目标。除了自主研发之外，企业多会寻求对外合作，合作能比较快速地获得收益，而且合作方都能受益。
        自主创新与对外合作是相辅相成的。良好的对外合作伙伴和合作项目，可以推动企业自主创新能力的提升；而企业的自主创新能力越强，就越能找到强大的合作伙伴。
        中芯国际一直在寻求双赢/多赢的合作机会。例如，我们和Saifun半导体合作，在SMIC获得NAND flash技术的同时，Saifun半导体也得以与中国市场更加紧密地接触。中芯国际还长期与国际半导体大厂合作，例如东芝、富士通、特许半导体、IMEC(欧洲半导体研发中心)、Elpida、英飞凌、Freescale等国际大厂都是中芯国际的技术合作伙伴，合作的技术范围自0.21微米至90纳米的各项半导体工艺和技术。另外，在半导体产业内，供应商与制造商的紧密合作与互动直接推动半导体工艺、设备和材料水平的进步。因此，供应商们是中芯国际另一方面的长期合作伙伴，双方长期在一起工作，合作将设备、材料尽快应用到新的工艺和产品上。制造商作为产业的中间环节就将上游的设备材料供应商和下游的设计公司甚至终电子产品供应商连接起来了。
        资金、研发团队、现有技术能力、合作伙伴等因素都会影响企业的自主创新能力，这些因素是全世界的科技企业都面临的问题。要成为国际级的企业，在上述各方面都要与国际级的公司在同一个水平上。
        中芯国际是国际化的团队创立的国际性企业，从成立第起，中芯国际就将眼光放在全球的范围内。因此，中芯国际搭建的生产、研发平台与国际同业是一样的，设备、工具是一样的，人才团队是类似的，从而为中芯国际争取到了与国际同业在产业发展中相同的机会。因此，我们与国际同业一样，在研发90纳米、65纳米的技术，甚至在为45纳米做早期的研究。
        中芯国际重点是CMOS逻辑平台工艺和存储器平台工艺。在这些平台工艺上，我们可以加上不同的模块来扩展其应用以满足不同市场的需求。所以，不管是RF、嵌入式存储器技术还是其他，都在我们的平台工艺之上进行研发。因此，在一个时间点上，我们着手进行研发的平台工艺的种类是单纯的，这样可以充分利用现有的资源推动研发工作并使其应用化。这样的模式也是国际半导体企业都采用的模式，区别就在于各个企业判断核心基础工艺的能力、有效配置资源的能力、执行能力等等。
        自主研发与对外合作是达成创新的两个手段，缺一不可、相辅相成。特别是在全球化的今天，这两个力量一直在推动科技界和工业界的技术进步。