NEC电子（NEC Electronics）日前宣布，该公司的DRAM混载SoC被任天堂的新型家庭游戏机“Wii”采用。该SoC是一种图形处理LSI，产自NEC山形工厂的300mm晶圆生产线。
       NEC电子通过在标准逻辑工艺（Logic Process）结构上形成堆栈式电容器，成功地制造出DRAM混载的SoC。为了形成该电容器，该公司开发出了“在两个电容电极间插入高介电常数材料的技术”和“在以小面积保持多电荷的基础上、维持充电不少于电气泄漏的电容器形成技术”。
       具体来说，该公司（1）在DRAM部的存储单元的电极上采用了使用金属的金属注射成型(MIM）结构，以期降低电阻值。（2）在DRAM的晶体管的栅极、源极、漏极上部使用钴硅化物（Cobalt Silicide），提高晶体管的驱动能力。（3）电容膜的材料采用氧化锆（Zirconium Oxide），增大单位面积的电容。