摘要：Intel款采用65纳米制造技术、1GB储存容量的 NOR多级单元闪存芯片目前正在进行测试，这种NOR多级单元闪存芯片通常用于手机进行通话运作，控制个人信息管理、储存照片、音乐和视频；而其样品在今年的第二季度末就可以使用。

       据悉，Intel款采用65纳米制造技术、1GB储存容量的 NOR多级单元闪存芯片目前正在进行测试。据称这种NOR多级单元闪存芯片通常用于手机进行通话运作，控制个人信息管理、储存照片、音乐和视频；而Intel公司采用的65纳米制造技术的批芯片，已经在去年下半年发货，目前广泛用于笔记本电脑、台式机、服务器和内置在微处理器中。

　     据Intel闪存部门副总裁兼总经理Brian Harrison称:“我们提供的65纳米的NOR闪存芯片产品将继续使我们保持在行业中主流手机市场的地位，新的制造技术可以提高闪存的性能，能够使下一代手机为终端用户提供新的和更强大的能力。”65纳米NOR多级单元闪存芯片的样品今年第二季度末就可以使用。

       而采用Intel公司芯片的手机原始设备制造商(OEM)将从这一普通的闪存架构中受益，他们将很容易的从90纳米制造工艺转移到65纳米技术。