在IDF上，Intel一名官员预测说10年后芯片时钟将高达250THz:

       "镓、砷、铟、锑等金属材料可能会有助于英特尔将未来芯片的时钟频率提高至250Thz或更高的水平。

       上周四，英特尔负责技术战略的主管鲍罗在“英特尔开发商论坛”上公布了在未来十年后将芯片时钟频率提高至250THz的计划。鲍罗说，通过在硅基片上增添多种其它半导体材料，设计人员将能够控制材料的原子属性。

       他表示，在过去的三十年中，我们一直在减小硅晶体管的尺寸，我们目前已经得到了厚度为4、5个原子的晶片，但我们无法取得进一步的突破。为了提高性能，我们需要提高电子的移动能力，应力硅能够将电子的移动能力提高一倍，但我们在这一方面会得到极限。

       鲍罗表示，包括镓、砷、铟、锑在内的六、七种半导体材料的电子移动能力比硅高，但我们却不会完全转向这些材料。他说，我们无法利用它们制造晶圆片，但我们可以在硅晶圆片上“沉积”部分这些材料。我们可以制造出混合型的半导体材料，因为这些元素是可以混合的。

       鲍罗指出，这样的芯片的速度会更快，需要的电压更低。他说，我们认为硅晶体管的时钟频率只能达到25THz，我们能够获得比这一速度高10-100倍的晶体管。