力晶12寸厂产能陆续开出，90奈米制程良率提升，5、6月营收可望逐月创历史新高。
      力晶今年购入旺宏12寸厂之后，目前拥有有一座8寸及三座12寸晶圆厂，未来计划再兴建4座12寸晶圆厂，挑战全球前三大DRAM供应商。
      力晶上周获瑞萨技术授权4Gb AG-AND flash技术，今年的资本支出从原本的600亿元提高到700亿元，将大举扩充快闪记忆体的量产布局，据了解，力晶5月营收可望比4月增加3%至5%，再创新高。
      力晶发言人谭仲民指出，力晶目前洽谈银行联贷，在“缄默期”中，不能预测业绩。瑞萨同意转移4Gb快闪记忆体技术，对力晶是一大突破，AG-AND flash性能、大小和NAND flash差不多，但制程成本比NAND低。
      力晶标准型DRAM已全数转至12寸厂生产，目前超过70%以上投片量都采90奈米制程，产出部分已超过五成比重，良率逾八成以上，DDRII配置已在40至50%左右。
      由于每单位晶圆面积可增加40%产出，业界估计力晶第三季DRAM成本，会比年初降低两成。
      力晶持续增加12寸厂产出，包括12B厂季月产能已达4万片，而新购入的12M厂年底月产能可达2万片，12寸厂总月产能未来将达10万片。力晶目前90奈米技术制程已经进入量产，单月投片量约1万片，良率也达80%水准，预计今年上半年90奈米制程比重将达50%，而80奈米制程也将在第三季试产。