NAND FLASH止跌行情迹象浮现。外电报导，南韩三星、海力士（Hynix）宣布今年以来首度调高快闪晶片售价，NAND价格透露需求回升的征兆，供给过剩纾解。
       由于三星和海力士合计占记忆体晶片市场约六七％，具市场影响力；昨日台湾模组厂商股价同步逆势攀扬。
       现货报价NAND FLASH价格呈现止跌攀扬态势；其中NAND 16Gb 上扬○．○八％，2Gb上涨○．五七％，至于4Gb 、8Gb均为持平表现。
       创见目前DRAM、Flash所占营收比重约五比五，DRAM产品中，DDR2约占三成，DDR1约七成左右。
       即使首季FLASH价格大幅重挫，创建仍维持优于同业水准的稳健表现。当前毛利率表现，创见表示，内部在三月底价钱很低时有作补货动作，在四月价格上扬时出货，使利润提升，推估四月毛利率可望比季九．三二％水准，向上拉升。
       外电报导，南韩三星、海力士表示，已在四月份，进行今年来的首度调高快闪晶片售价，因市场供过于求情形纾解。据集邦科技Dramexchange.com表示，NAND合约价格上一次上涨是在去年九月。
       三星认为，今年全球NAND型快闪记忆体供给将较需求略为短缺○．五％，第二季需求料将因价格于季大减而开始复苏；第三季价格或有止跌上扬的机会。
       去年NAND FLASH销售攀升五五％，超过其他半导体产品。
       根据世界半导体产业交易统计，年销售至少达一百亿美元；今年NAND销售预估将成长二八％。