随着半导体制程演进，物理现象的限制日益明显，在DRAM和NAND型Flash身上都看得到。对NAND型Flash制程而言，进入90奈米以下的制程，良率提升和制程难度日益浮现，加上MLC（Multi-Level Cell）制程对三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）而言都是挑战，因此更加凸显控制晶片业者角色的重要，简单而言，就是原厂出品的产品品质每况愈下，因此控制晶片为协助产品顺利出货，必须要有更强的自动错误校正（ECC）能力，才能让产品的表现足以展现应有水准。
       在快闪记忆卡身上，控制晶片所扮演的角色远比过去在随身碟、MP3播放器还要重要，主要是因为随身碟大多只用在PC，控制晶片只要注意与PC间的相容性问题即可，然在快闪记忆卡可不一样，与记忆卡配合的应用产品五花八门，延伸出的终端产品可高达上千种，控制晶片必须确定能与每一种终端产品都能相容，否则一旦出错，整张记忆卡被退货，后续接踵而来的问题，相当繁琐。
       此外，随着NAND型Flash制程持续微缩，需要克服的物理现象难度亦越增加，因此NAND型Flash品质大打折扣，对于控制晶片业者而言，是一则以喜、一则以忧，喜的是，NAND型Flash品质下降，就代表配合的控制晶片品质相对必须更好，足以弥补NAND型Flash的缺陷，因此整个产业难度的门槛顺势提升；然忧的是，各业者面临接踵而至的挑战，在技术上必须更佳战战兢兢，一不注意，就会在新一回合的大战中被淘汰出局。
       下半年NAND型Flash产业即将面临的MLC世代来临，这也是控制晶片业者面临的严峻挑战。过去MLC晶片只有东芝（Toshiba）量产，问题还不大，然2006年下半起，三星和海力士的MLC晶片将大量撒向市场，目前各家记忆卡制造商都在寻觅可支援MLC的控制晶片厂商，据了解，大家都推出支援MLC的控制晶片，但仍属慧荣产品为成熟，然目前只是起步阶段，真正要分出胜负，下半年才是真正的关键时间点。