DRAM合约价自今年 1月出现止跌反弹的讯号，DDR2 2月展现凌厉的涨势，3月持续攻坚，原本市场预计 3月下旬价格将有机会向下，但由于DRAM大厂生产线问题，影响3月下旬至4月一整月产出，也使 4月DDR2/DDR呈现双缺，而甚至有些厂商于 4月下旬微幅调涨价格，使 DRAM价格走势在去年第 4季旺季，呈下跌趋势，而今年第 1季淡季却呈上涨趋势，也使DRAM价格的趋势预测更加诡谲难辨。 
      台某机构预估DDR2在 4月合约价维持持平或小涨，因此即使5月及6月的月均价下跌幅度不超过10%，第2季DDR2合约价均即可能高于第 1季合约价。台某机构进一步指出，DDR2因为今年价格在上半年已在，在旺季价格高涨机会相对减小。
      台某机构预期大部份DRAM厂在第 2季底至下半年产出预期每季皆会成长 2位数以上。因此若Q3仅达到每月2-3%的涨势，第3季DDR2价格仍会略低于第2季合约价，若第4季有机会持续上涨，则第4季有机会成为2006 年DDR2 ASP的一季。
      NAND Flash现货市场上，在 3月季底做帐压力下，厂商持续倒货至现货市场，使 3月NAND Flash现货价自月初到月底大跌30-40%。而且， Samsung的颗粒跌幅更甚于 Hynix。4月份，Samsung开始减少出货量及出货频率，以期稳住市场价格，因此市场价格于 4月初小幅反弹后，即呈现小波动趋势。
      但由于市场末端需求如数位相机， MP3皆需求不旺，因此无法带动Flash记忆卡买气。加上Hynix于 4月初开始出8Gb/4Gb MLC颗粒至市场，4月中下旬出货量增加显著，且价格远比之前的 8Gb/4Gb SLC低，也使买方对价格趋势不明朗下，因而采观望态度。
      台某机构指出，上周市场主要的需求在 2Gb及 16Gb，大部份的买家因中国五一长假及新货即将到达，皆仍维持观望态度，进场意愿不高，之前所预期的长假补货效应因价格趋势不明朗，并未浮现。
      不少市场观察者期待NAND Flash合约价在大跌后，有反弹契机，但市场人士指出，由于消费性末端需求尚未浮现，Toshiba flash card 1GB/2GB近的盘价仍往下走，对NAND Flash合约价在短期内反弹上涨的看法不表乐观。