根据EE Times报导，NOR快闪记忆体市场近年受到NAND的强烈冲击，这个领域的供应商也从善如流，修正了它们的策略。NOR flash过去多年强力主宰了行动电话的记忆体应用，用于code储存与其他用途，但近年在这个市场面临来自NAND的强力竞争；比较新颖而多功能的手机，现在利用更多NAND flash进行资料储存。NAND元件比NOR更具有成本效益，而且更适合高密度应用。根据iSuppli的资料，在2005年度生产的手机中，有9000万台加入NAND记忆体作为资料储存，大约占有去年度出货量的10%；该公司预测到了2010年度将有6亿5000万台手机具备NAND，占有整体出货量的60%。
      NOR领域的前三大供应商Intel、Spansion与STMicroelectronics，之前针对NAND的挑战提供新的解决方案来保有NOR在手机领域的主宰地位；这些解决方案主要是将NOR结合其他型态的记忆体，包括SRAM、pSRAM(pseudo SRAM)与SDRAM，以提供完整的code与资料储存记忆体次系统。不过这样的作法并不奏效，随着NAND持续攻城掠地，现在Intel、Spansion与STMicroelectronics已经明白它们如果要持续在手机市场保有竞争地位，则必须提供每位元成本比NOR更低的资料储存产品。有鉴于此，这三家供应商都已经改变策略，提供NAND或其他非NOR产品，但它们必须面对NAND领域前三大供应商的强力竞争，它们是Samsung Electronics、Hynix Semiconductor与Toshiba，这三大供应商占有2005年度NAND市场产值的88%。
      iSuppli估计手机所采用的任何型态记忆体在2005年度的产值为43亿美元，预测到了2010年度将成长至76亿美元，规模非常庞大，值得各方英雄好汉加入争夺。Intel与STMicroelectronics采取的策略，是与其他记忆体供应商结盟，以求迅速攻占NAND市场。例如，Intel与Micron Technology合作成立IM Flash Technologies公司，并且在今年季开始少量出货来自于IM Flash的NAND元件。Micron在2005年度中总共出货了2亿3800万美元的NAND，IM Flash可望协助Micron在2006年度成为更重要的NAND供应商。Intel与Micron的结盟，将会明显扩大这两家公司今年度NAND的营收，它们在2007年度的影响将更钜大，因为从今年下半年开始，它们将采用Intel的MLC(Multi-Level-Cell) flash技术于NAND上。
      至于STMicroelectronics，该公司是透过与Hynix的制造协议而扩大在NAND领域的力量。双方系在一年多前开始合作，STMicroelectronics在2005年度出货了2亿1400万美元的NAND元件，今年更可望有明显的增加。Intel与STMicroelectronics这些作法，不但可以加强它们在手机市场的竞争地位，更可让它们进入消费性电子与运算这些规模大了许多的新市场。
      至于Spansion，该公司将NOR/two-bit-per-cell MirrorBit技术重新发展为ORNAND产品，结合一个类似NAND介面与一个NOR记忆体架构。虽然表面上看来，这样的作法比较奇特，因为它还是一个比较偏向于NOR的产品，但是MirrorBit产品颇受手机制造商的青睐。而且MirrorBit未来也许能在每个transistor gate中储存四个位元，使ORNAND更适合作为资料储存的解决方案。这三大NOR供应商未来在NAND领域的发展，值得密切关注。