连续跌了好几个月的NAND型快闪记忆体（Flash）均价，好不容易止跌回升，全球快闪记忆体市场也受到东芝（Toshiba）日前大手笔扩产而振奋不已，不过，分析师却认为这仅是短期现象，除了大厂扩产令人忧心外，未来还有其他业者如中芯国际、力晶（5346）等将陆续切入，NAND型Flash好景恐不长。
      　据道琼（Dow Jones）报导，尽管短期内已观察到低容量NAND型Flash均价回升现象，但就长期而言，高容量NAND型Flash跌幅远超过预期，再加上欧美大厂纷纷加入NAND型Flash市场战局，分析师认为产能过剩之忧恐将再度浮现。
      　投资机构BNP Paribas Peregine分析师指出，东芝扩产消息令人一喜一忧，喜的是大厂看好NAND型Flash前景，大手笔斥资扩产，但忧的却是包括三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）、美光（Micron）与英特尔（Intel）合资的IM Flash陆续切入，不仅将带来市场激烈竞争，倘若产能过剩，亦恐将导致均价跌跌不休。
      　市调机构iSuppli分析师指出，东芝近来大手笔的扩产计画，对于2006年的全球NAND型Flash市场将不至于有直接冲击，然而，随着东芝陆续将在2007年下半、2008年上半导入量产后，届时市场需求能否浮现仍是未知数。
      　此外，市调机构Semico Research分析师则认为，尽管近来三星与海力士陆续调涨低容量1Gb与2Gb快闪记忆体合约价，但高容量产品合约价恐难调涨，再加上2006下半IM Flash产能开出后，高容量产品价格调涨更不易。
      　尽管分析师仍抱持怀疑态度，但三星投资关系副总裁Woosik Chu则认为，未来NAND型Flash市场成长依然可期，除了微软（Microsoft）新版作业系统Vista上市后，将带动快闪记忆体市场需求成长外，近来包括三星与Sony皆不约而同地推出以快闪记忆体为储存装置的笔记型电脑（NB），以快闪记忆体取代硬碟，无形也扩大快闪记忆体的应用方向。