意法半导体推出了该公司批采用顶置金属片的PolarPAK 封装的必vIC，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的必v密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的必v场效应MOS晶体管，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0.8mm高。

       ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK技术的野i协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准必v场效应MOS晶体管使用的封装相似，具有优良的裸片保护弁遄A在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比，PolarPAK的散热效率更加出色，在相同的占板面积下，比SO-8封装处理的电流高一倍。

       新器件采用ST优化的STripFET制造技术，在更小的芯片面积上取得了更低的通态电阻和弁?A这项技术是以大幅度提高单元密度和降低单元线宽为基础的。在10V时，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫欧，30A STK850是2.9毫欧。结到外壳热阻极低和结温较低的特性是降低两款MOSFET的通态电阻的主要因素。

       电容低和栅电荷总量低使STK800成为非隔离型直流-直流降压转换器的控制FET的理想选择，同时极低的RDS(on)电阻使 STK850成为一个的同步FET解决方案。较低的工作温度有助于提高能效和使用寿命的可靠性。新的封装加强了裸片保护，提高了制造过程中芯片拾放的便利性，并兼容现有的SMD组装设备。新器件的多个货源确保客户采购的灵活性。